Nghiên cứu tâm sâu trong bán dẫn 6H-SIC bằng phương pháp phô quang điện dung

Title: Nghiên cứu tâm sâu trong bán dẫn 6H-SIC bằng phương pháp phô quang điện dung
Authors: Nguyễn, Thị Thục Hiền
Keywords: Vật lý;Chất bán dẫn;Phương pháp phô quang điện dụng
Issue Date: 2000
Publisher: Đại học Quốc gia Hà Nội
Description: tr. 245-251
Hội nghị khoa học nữ lần thứ 5, Hà Nội, 2000
URI: http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/23870
Appears in Collections:Kỷ yếu Hội nghị - Hội thảo (LIC)

Nhận xét

Bài đăng phổ biến từ blog này

Dịch và lý thuyết dịch như một hệ hình lý luận, phê bình mới cho Việt Nam hiện nay

Chính sách đầu tư ra nước ngoài của Trung Quốc và bài học kinh nghiệm cho Việt Nam

Bảo quản tài liệu số